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然而，买目宽带隙SnSe晶体（~0.86eV）具有优良的电传输性能，因为其层状结构实现更高的面内载流子迁移率μ和多波段使有效质量m*更大。Pb合金化促进了动量和能量多波段排列，时候商家商家算在300K时产生了~75μWcm-1 K-2的超高功率因数，以及~1.90的平均品质因数ZT。不同图2Sn1-xPbxSe晶体的电传输特性与温度的关系 (A)电导率σ。

(F-H)在300K时，买目不同带模型的塞贝克系数(F)、载流子迁移率(G)和功率因数(H)的模拟图与载流子浓度的关系。通过对其显著的电子和声子带结构的连续操纵，时候商家商家算SnSe晶体已被证明是优秀的热电材料。

(B)从300K到773K，不同SnSe的四个价带谷随着温度的升高而动态演变，其中VBM1在每个温度下都是排列的。

(C)Sn0.91Pb0.09Se晶体、买目商业BST和p型纯SnTe的单支器件的最大温差ΔTmax。时候商家商家算并显著提高了在环境温度下的电化学稳定性。

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时候商家商家算（e-f）Al离子在FeS2上以及N-C和FeS2之间的最佳吸附位点的可行模型。不同即使在-25℃的低温条件下也具有优异的倍率容量。